SJ 50033.87-1995 半导体分立器件.CS4091～CS4093型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
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ID： |
880712A914484ED3B47B086028EB1878 |
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文件大小(MB)： |
0.44 |
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11 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/87-1995,半导体分立器件,CS4091 .CS4093 型,硅N沟道耗尽型场效应晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail! specification for type CS4091-CS4093,silicon N-channel deplition mode field-effect transistor,1995-05-25 发布1995-12-0I 实施,中华人民共和国电孑エ业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS4091 .CS4093 型,硅N沟道耗尽型场效应晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail! specification for type CS4Q9I-CS4093,silicon N-channel deplition mode field-effect transistor,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS4091 ~CS4093型硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管（以下简称器件）的,详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33（半导体分立器件总规范》L 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,将军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586-84场效应晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33 -85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外型尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,中华人民共和国电子工业部1995』&25发布 199印12-01实施,SJ 50033/87-1995,引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和深层要,求选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定（见6.3）,3.2,2器件结构,采用硅N沟道耗尽型结型结构,3.2,3外形尺寸,外形尺寸按GB 7581的A3-O1B型及如下规定,见图し,图1外形尺寸,* 0.35@ X嘙,演A3-01B,最小标称最大,A 4.32 一5.33,如— 2.54 一■,— — 1.01,0.407 — 0,508,和5.31 — 5-84,加1 4.53 — 4.95,J 0.92 1.04 1.1￠,k 0.51 1.21,L 12.5 一25.0,レ— — 1,27,引出端极性;,L源极2,漏极3.栅极,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,2,SJ 50033/87-1995,p ロ,「皿,TA = 25t,(mW),Vgs,(V) (V),Vdg,(V),1G,(mA),方和ル,（t）,360 -40 40 40 10 -65 至+ 200,注:1） 7\>25匕时,按2.06mW/C的速率线性降机,3.3.2主要电符性（Ta=25セ）,参 数,一. r" . 型号,极限值,符号（单位） 测试条件最小值最大值,I 玄(mA),Vds = 20V,3。リ,CS4091,CS4092,30,15 "—,CS4093 8 一,(V),J。二6.6mAi ￥03 = 0￥ CS4091 — 0.2,34mA, VGS = 0V CS4092 一0.2,70 —2.5mA,ピ65=。丫CS4093 0.2,Vcs(曲(V),320V,/D=lnA,CS4091,CS4092,7,-2,-10,CS4093 -1 -5,3 0V,い〇,/=lkHs,CS4091,CS4092 一,30,50,CS4093 — 80,注;1）脉冲法（见4.5」）,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,3.5 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检险应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极,限值的器件应予剔除,-3 —,SJ 50033/87-1995,筛 选,(GJB 33 表 2),测 试 或 苴 照,5、密封不要求,6、高温反偏不要求,7、中间参数流试1085Iゝ&」!)(同エ和“足,8、功率老化Ta= 1501：, VM = 0V, %= -32V,9、最后测试本规范表1的A2分组キ,*gss =10.1nA或初始值的± 100%,取较大者;,『Didol 和 &メ9)= ± 20%;,ムム型=士 15%￠,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检睑,A组检验应按GJB 33和本规范表!的规定进行.,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试和变比量(△)要求应按本规,范表4的步骤进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量")要求应按本规,范表4的步骤进行,4.5 检验和试睑方法,检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定:,4.5.I 歐冲测试,脉冲测试应按GJB 128的……
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